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- 登川 一郎
- 松下電子工業(株)半導体事業本部 品質技術部
書誌事項
- タイトル別名
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- Degradation Caused by Reverse Biased Current in PN Junction
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説明
PN接合への逆バイアス電圧印加時に流れる電流は、アバランシェプレークダウン電流、トンネル電流、逆方向飽和電流に分類される。各々の電流は半導体製品の信頼性仁影響を与える場合がある。(1) アバランシェブレークダウンが発生するような使用方法では、ブレークダウンの位置が重要である。(2) 微細構造においてはアバランシェブレークダウンの他にトンネル電流も考慮する必要がある。(3) 高耐圧構造では逆方向飽和電流の影響を受け易いため、素子構造を十分に検討する必要がある。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性
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電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 97 (370), 43-48, 1997-11-07
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572543027326412672
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- NII論文ID
- 110003301734
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- NII書誌ID
- AN10013243
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
