フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール

参考文献11件

書誌事項

タイトル別名
  • Ultra High-Speed GaAs MESFET IC Modules using Flip Chip Bonding Technique

この論文をさがす

説明

40Gbit/s光伝送用超高速モジュールの実現を目的として、多層配線構造を用いた0.1μmゲート長GaAs MESFETにより分布型の信号増幅器及び分配回路ICを開発した。伝送線路にはバンプ実装による影響のない逆マイクロストリップ線路を主体に用いた。これらのICを転写型の微小はんだバンプ技術によりフリップチップ実装し、チップサイズキャビティパッケージに搭載し、評価した結果、増幅器モジュールは利得8 dB、3 dB帯城50 GHz以上、信号分配モジュールは損失2 dB、3 dB帯域40 GHzの広帯域性能を得た。両モジュールとも40 Gbit/sでの動作を確認した。

収録刊行物

参考文献 (11)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502212930304
  • NII論文ID
    110003198954
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ