光音響法によるGaAsのSiイオン打ち込み層の熱伝導率の測定
書誌事項
- タイトル別名
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- Measurement of thermal conductivity of Si ion-implanted GaAs using photoacoustic technique
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説明
光音響法を応用して半導体基板に密着した層の熱伝導率を測定する方法を報告する。この方法をGaAs基板にSiイオンを打ち込みをした層の熱伝導率の測定に適用し、試料のアニール温度に対する熱伝導率の変化を測定した。その結果500[℃]以上の温度で急激に変化をし、800[℃]の温度で基板のGaAsの値まで上昇した。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料
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電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 98 (163), 37-41, 1998-07-03
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572824502213174528
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- NII論文ID
- 110003199331
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- NII書誌ID
- AN10012932
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
