高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

  • 仲野 靖孝
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 井村 将隆
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 成田 剛
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 北野 司
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 藤元 直樹
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • バラクリッシュナン クリッシュナン
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 津田 道信
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー 京セラ株式会社単結晶事業部
  • 岩谷 素顕
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 上山 智
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 天野 浩
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー
  • 赤崎 勇
    名城大学理工学研究科 21世紀COEプログラムナノファクトリー

書誌事項

タイトル別名
  • Microstructure of ELO-AlN grown by HT-MOVPE

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説明

サファイア基板に周期溝を形成し、MOVPE法により高温でAlNを成長させた。サファイアの溝はAlNが横方向成長して埋め込まれており、AFMでは、AlN表面は原子レベルで平坦であった。また、透過電子顕微鏡観察によれば、溝のないサファイア基板上に成長させたものと比較すると、転位密度は半分以下にまで低減しているのが確認された。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502216540928
  • NII論文ID
    110003205211
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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