イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討

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タイトル別名
  • A Study on the Dislocation Loop Growth and Boron Redistribution During the Post Implantation Annealing

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説明

ボロンが一様濃度で分布するp型シリコン基板に対するひ素イオン注入後の熱処理時における転位ループの成長と基板中のボロンの再分布について検討した。ボロンー格子間シリコンペア(BI)を拡散種とする非平衡ボロン拡散モデルに基づき、転位ループによる点欠陥とBIの捕獲を考慮することにより転位ループ成長とボロン再分布のモデル化を行った。この物理的根拠に基づくモデルを用いたシミュレーションによって、非平衡拡散が支配的である短時間熱処理においても、転位ループ成長とボロン再分布について実験結果とのよい一致がみられた。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502217207424
  • NII論文ID
    110003200742
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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