8パラメータ真性FET小信号等価回路モデル
書誌事項
- タイトル別名
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- An 8-Parameter Small-Signal Equivalent-Circuit Model for Intrinsic FETs
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説明
FET の小信号等価回路モデルは、低雑音増幅器の設計はもとより、高出力増幅器の基本設計や安定性の検討に不可欠である。今回、CaAsヘテロ接合 FET の真性部分の小信号等価回路モデルの高精度化について検討した。従来の7パラメータ・モデルのゲート・ドレイン間に、Cgdに対してシリーズに実抵抗成分 Rgd を考慮して図1に示すように8パラメークとし、シミュレーション特性に与える影響について考察した。
収録刊行物
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- 1997年 (秋) 通信学会ソサイエティ大会
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1997年 (秋) 通信学会ソサイエティ大会 50-, 1997
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572824502241619456
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- NII論文ID
- 110003340830
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- NII書誌ID
- AN10489017
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles