ドライエッチング後の微細コンタクトホール内の洗浄技術

参考文献11件

書誌事項

タイトル別名
  • Cleaning technology inside the sub-micron contact hole after dry etching

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説明

ドライエッチングによるコンタクトホール開孔後の洗浄技術を確立した。微細ホール内の洗浄液として、極めて低HF濃度(約0.1wt%)で高NH_4F濃度(約40wt%)からなるバッファードフッ酸に少量の界面活性剤(60ppm以下)と過酸化水素水(7wt%以下)を添加したものを用いる。これにより、洗浄後のホール径の拡張やシリコン表面のマイクロラフネスの発生を防止でき、コンタクトホールの歩留まり低下及びコンタクト抵抗の増加の原因となるホール内の堆積ポリマーや自然酸化膜及びダメージ層も1回の洗浄工程で同時に除去できる。

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参考文献 (11)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573105977189565952
  • NII論文ID
    110003199791
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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