フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
書誌事項
- タイトル別名
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- Effects of Floating Gate Structure on Reliability in Flash Memories
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説明
本研究では、低電力動作可能で大容量、高信頼なコンタクトレス型フラッシュメモリを実現するための、メモリセルのフローティングゲート形状を明らかにした。コンタクトレスアレイ方式ではフローティングゲート端部にバーズビークが侵入するため、書き換え耐性やディスターブ耐性が低下する。フローティングゲートを窒化膜で覆い、バーズビークの侵入を抑えることにより、上記耐性の低下が防止できる。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 94 (407), 41-46, 1994-12-16
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573105977274320640
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- NII論文ID
- 110003310326
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles