Doping Profile Control in Si MBE Film with Sb Ion Doping : C-3: CRYSTAL TECHNOLOGY
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- SUGIURA Hideo
- Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Supplement
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Japanese journal of applied physics. Supplement 19 (1), 641-645, 1980-04-30
社団法人応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573105977278208896
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- NII論文ID
- 110003957284
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- NII書誌ID
- AA10457686
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- ISSN
- 00214922
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- CiNii Articles
