Doping Profile Control in Si MBE Film with Sb Ion Doping : C-3: CRYSTAL TECHNOLOGY

  • SUGIURA Hideo
    Ibaraki Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation

この論文をさがす

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573105977278208896
  • NII論文ID
    110003957284
  • NII書誌ID
    AA10457686
  • ISSN
    00214922
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ