A 1V DSP for wireless communications
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- 高橋 博
- 日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
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- 安孫子 茂志
- 日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
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- 田代 賢一
- 日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
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- 村松 重利
- 日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
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- 襖田 雅弘
- 日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
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- 水野 博之
- 日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
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- Lee Wai
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Landman Paul
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Barton Brock
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Tran Hiep
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Lemonds Carl
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Shih Albert
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Nandakumar Mahalingam
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Ekiund Bob
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Chen Ih-Chin
- Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
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- Pham Luat
- Texas Instruments Inc., Stafford, TX
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- Boutaud Frederic
- Texas Instruments Inc., Nice, France
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- Ego Emmanuel
- Texas Instruments Inc., Nice, France
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- Gallo Girolamo
- Texas Instruments Inc., Avezzano, Italy
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説明
携帯機器への応即に1Vで動作可能なDSPの設計、製造及び評価を行い消費電力、高速動作を確認した。本DSPはアーキテクチャ、回路設計、プロセス等の最適化により、電源電圧1.0V時、63MHzと言う高い周波数で動作し、17mWと言う低消費電力と0.21mW/MHzの電力性能比を実現した。1.35V時には100MHzで動作し、0.6V時でも完全動作することを確認した。製造プロセスには0.35um CMOS TLM (ゲート長は0.25um)と High-Vt(0.4V)、Low-Vt(0.2V)のデュアルVt技術を用いた。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (317), 9-16, 1997-10-17
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573105977279565440
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- NII論文ID
- 110003309480
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles