A 1V DSP for wireless communications

  • 高橋 博
    日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
  • 安孫子 茂志
    日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
  • 田代 賢一
    日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
  • 村松 重利
    日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
  • 襖田 雅弘
    日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
  • 水野 博之
    日本テキサスインスツルメンツ株式会社ASP事業部DSP開発部LEAD設計グループ
  • Lee Wai
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Landman Paul
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Barton Brock
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Tran Hiep
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Lemonds Carl
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Shih Albert
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Nandakumar Mahalingam
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Ekiund Bob
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Chen Ih-Chin
    Corporate DSP R&D, Texas Instruments Inc.
  • Pham Luat
    Texas Instruments Inc., Stafford, TX
  • Boutaud Frederic
    Texas Instruments Inc., Nice, France
  • Ego Emmanuel
    Texas Instruments Inc., Nice, France
  • Gallo Girolamo
    Texas Instruments Inc., Avezzano, Italy

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説明

携帯機器への応即に1Vで動作可能なDSPの設計、製造及び評価を行い消費電力、高速動作を確認した。本DSPはアーキテクチャ、回路設計、プロセス等の最適化により、電源電圧1.0V時、63MHzと言う高い周波数で動作し、17mWと言う低消費電力と0.21mW/MHzの電力性能比を実現した。1.35V時には100MHzで動作し、0.6V時でも完全動作することを確認した。製造プロセスには0.35um CMOS TLM (ゲート長は0.25um)と High-Vt(0.4V)、Low-Vt(0.2V)のデュアルVt技術を用いた。

収録刊行物

参考文献 (12)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573105977279565440
  • NII論文ID
    110003309480
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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