2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
書誌事項
- タイトル別名
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- 2V/100ns 1T/1C Nonvolatile Ferroelectric Memory Architecture with Bitline-Driven Read Scheme & Non-Relaxation Reference Cell
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説明
最近, 携帯端末機器などに低電圧高速動作のマイコン搭載用不揮発性メモリが要望されている. 本稿では, 強誘電体不揮発性メモリの新アーキテクチャーとして, ビット線駆動型読み出し方式とノンリラクゼーションリファレンスセル技術を用いることにより, 2V/100ns動作を可能とした.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (226), 65-69, 1996-08-23
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573105977279764736
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- NII論文ID
- 110003309667
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles