The influence of excited states of deep dopants on majority-carrier concentration in a wide-bandgap semiconductor

被引用文献1件

収録刊行物

  • New J. Phys.

    New J. Phys. 4 (4), "043702 1"-"043702 6", 2008

被引用文献 (1)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573387449826596480
  • NII論文ID
    10029634698
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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