In/BRBO/STO(Nb)トランジスタの静特性のベース膜厚依存性(I)

書誌事項

タイトル別名
  • Dependence of base thickness of electrical properties for In/BRBO/ STO(Nb)transistor(I)
公開日
1994-02-16
公開者
一般社団法人電子情報通信学会

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説明

我々は、In, (Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nbドープ)トランジスタを作製し、その電気特性のベース膜厚依存性を調べた。(Ba,Rb)BiO_3薄膜は、0.1wt%NbをドープしたSrTiO_3基板上に濃縮オゾンを用いた分子線エピタキシ法で、基板温度370℃で作製した。その膜厚は成膜時間を変えることにより制御した。ベース接地の出力特性から求めた伝達係数(α)はベース膜厚に依存した。伝達係数から見積った特性長は温度に依存しないことから、ベース膜中のキャリアの散乱は不純物散乱と考えられる。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573387452170068096
  • NII論文ID
    110003206872
  • NII書誌ID
    AN10012885
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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