エッチングフリーInP基板のクリーニング技術とInGaAs系MBE成長

書誌事項

タイトル別名
  • Cleaning Process of Etch-Free InP Substrate and Molecular Beam Epitaxy of InGaAs System

この論文をさがす

説明

MBE成長時に問題となる半導体基板の前処理方法について検討し、InP基板については窒素ガス封止が半導体表面の酸化など経時変化を防ぐのに有効であることが分かった。従来、MBEチャンバへの導入直前に半導体基板の酸化膜除去のためのウエットエッチングを行なってきたが、窒素ガス封止したInP基板では、開封直、直ちにチャンバーへ導入すれば、ウエットエッチング工程を省略できる。1年間の長期にわたり、窒素ガス封止したInP基板を使って経年変化を調べたところ、ホール測定評価からも遜色ない品質のよいMBE成長ができることが証明された。InAlAs,InGaAsヘテロ構造において、室温で、格子整合構造では10,000cm^2/Vs以上、弾性歪構造では15,000cm^2/Vsの電子移動度が得られた。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573387452170327552
  • NII論文ID
    110003200392
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ