ブロックアクセスモード搭載200MHz16MbitシンクロナスDRAMの回路技術

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タイトル別名
  • Circuit Technologies for 200MHz 16Mbit Synchronous DRAM with Block Access Mode

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説明

16MbitシンクロナスDRAMにおいて200MHz動作を実現するための高速化回路技術を開発した。4ステージのパイプライン方式を用い、サイクルタイムを向上させるために同期型N&PMOSクロスカップル・リードバス・アンプを、データ転送速度向上のためにパルス化コラムデコーダを、またステージ間のマージンを確保するために疑似スタティック第3ステージアンプを開発した。また、メモリ上の矩形領域にアクセスできる画像処理に適したブロックアクセスモードを搭載した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573387452251010432
  • NII論文ID
    110003310318
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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