ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価

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タイトル別名
  • Performance of p-channel HJFET with Selectively Grown Contact Layers

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ソースドレイン領域をMOMBE p^+-GaAs選択成長で形成したpチャネルHJFETの試作と評価を行った. バリア層として高Al組成(0.75)のi-AlGaAs, チャネル層として2×10^<18>cm^<-3>のp-GaAsを用いた. デバイス特性は, 0.5μmゲート長でgm_<max>=40mS/mm, Vf=-0.9V, BVg=6.0V, f_T=6.8GHz, fmax=8.0GHzであった. 試作したp-ch HJFETから抽出したパラメータと0.5μm n-ch DMTのパラメータから, SPICEを用いてコンプリメンタリ回路の遅延時間と消費電力の検討を行った. その結果n-ch FET とP-ch FETのゲート幅がWn=Wp=10μmの時, 遅延時間(tpd)も消費電力も最小となり, V_<DD>=1.0Vでt_<pd>=120ps, 0.09μW/MHz/gateという値が得られた. これは, GaAsコンプリメンタリICが, きわめて低消費電力であることを示している.

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参考文献 (11)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573387452251405440
  • NII論文ID
    110003316613
  • NII書誌ID
    AN10013276
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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