分光エリプソメトリーによるInGaAs/GaAs系歪構造の評価

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タイトル別名
  • Characterization of Strained InGaAs/GaAs Structures using Spectroscopic Ellipsometry

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説明

III-V族化合物半導体を用いたデバイスの開発において、その材料および構造の評価は重要なことである。本研究では非破壊、非接触で測定する分光エリプソメーターを用い、InGaAs, GaAs系歪構造の評価を行った。解析では、まずGaAs基板上のInGaAs単層膜を用い、InGaAs膜の複素屈折率を求め、In組成や歪みの変化により複素屈折率がどのように変化するかを明らかにした。ついで得られた複素屈折率を用いることにより、GaAs/InGaAs/GaAs歪構造の評価を行い、各層の厚さと組成を非破壊で同時に測定することができた。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927146322432
  • NII論文ID
    110003200449
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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