テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状

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書誌事項

タイトル別名
  • Gas Phase Condensation Reaction and Surface Morphology of Low-k Dielectrics by the (CH_3)_4Si and Oxygen Radical Mixuture

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説明

耐熱性に優れ、2.5-3.0の比誘電率を示す絶縁膜が得られるテトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相反応と体積形状とを調べた。堆積速度は酸素ラジカルの噴き出しノズルから幾分下流側(今回の実験では約2cm下流)で最大となり、この点を境として上流側、下流側で堆積機構が異なることがわかった。堆積機構の相異は、絶縁膜の堆積形状にも影響する。気相ですでにTMSの重合が進行していることがわかった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927228305280
  • NII論文ID
    110003310159
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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