テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状
書誌事項
- タイトル別名
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- Gas Phase Condensation Reaction and Surface Morphology of Low-k Dielectrics by the (CH_3)_4Si and Oxygen Radical Mixuture
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説明
耐熱性に優れ、2.5-3.0の比誘電率を示す絶縁膜が得られるテトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相反応と体積形状とを調べた。堆積速度は酸素ラジカルの噴き出しノズルから幾分下流側(今回の実験では約2cm下流)で最大となり、この点を境として上流側、下流側で堆積機構が異なることがわかった。堆積機構の相異は、絶縁膜の堆積形状にも影響する。気相ですでにTMSの重合が進行していることがわかった。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (555), 19-26, 1999-01-22
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573668927228305280
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- NII論文ID
- 110003310159
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles