深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧改善

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タイトル別名
  • Improvement of breakdown voltage for Self-biased Channel Diode by deep boron ion implantation

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説明

3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入したDMOS型自己バイアスチャネルダイオードが提案されている.このダイオードは、低損失でかつ熱暴走しにくい良好な特性を持つ一方,ボディ短絡構造を採用していないので,耐圧改善が必要とされている.この要求に応えるために,本研究ではデバイスのアノード側の2重拡散不純物領域に,更にセルファラインプロセスによるピーク密度7×10^<19>/cm^3の深いボロンイオン注入を追加した不純物プロファイルを検討した.その結果,順方向特性に悪影響を与えること無く,通常の2重拡散構造で得られた耐圧値-14.7(V)に対して,-27.2(V)と約13(V)程度の耐圧改善が可能であることを3Dデバイスシミュレータにより確認したので報告する.

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参考文献 (9)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927652276480
  • NII論文ID
    110009636576
  • NII書誌ID
    AN10013108
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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