E-B蒸着・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価

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タイトル別名
  • Evaluation of Cu_2ZnSnS_4 Films prepared by Sulfurization of E-B Evaporated Precursors

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説明

E-B蒸着・気相硫化法により、Cu_2ZnSnS_4 (CZTS) 薄膜の作製に成功した。この薄膜は、太陽電池の光吸収層への応用が期待されている。本材料は、稀少元素であるInや毒性の強い元素Seを含んでいない。X線回折スペクトルより、CZTS薄膜がスタナイト型構造を持つこと、3元系化合物等の異相が含まれていないことを確認した。ZnSを含む、プレカーサを採用したことで、CZTS薄膜のガラス基板への付着性が大幅に改善された。CZTS薄膜の光学的バンドギャップは、太陽電池光吸収層の最適値に近い1.45[eV]であった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573950402119763200
  • NII論文ID
    110003198938
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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