原子状水素によるGaAs、InP表面の低温クリーニング
書誌事項
- タイトル別名
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- Cleaning of GaAs and InP surfaces by atomic hydrogen beam at low temperature
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説明
原子状水素ビームの照射によるGaAs及びInP表面の低温クリーニングの過程を反射高速電子線回折、及び放射光を用いたオージエ電子分光法と光電子分光法により評価した。その結果、試料温度360℃に於て原子状水素ビームの照射によりGaAs、InP共に清浄なV族安定化面が得られるが、クリーニング時間はGaAsよりもInPの方が長いことが判った。光電子スペクトルの解析より、GaAsではGa_2O_3、InPではIn(PO_3)_3の分解反応がクリーニングの反応を律速していることが明かになった。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 93 (286), 13-19, 1993-10-22
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573950402123737856
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- NII論文ID
- 110003200374
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- NII書誌ID
- AN10012954
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles