GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of AlGaAs/GaAs Double-Hetero structure LD on GaAs(lll) A Substrate

この論文をさがす

説明

MBE法によりSi単一ドーパントのみを用いて、p型及びn型の伝導型の制御を行い、(lll)A面GaAs基板上にAlGaAs, GaAsダブルヘテロ構造LDを成長した。そして、このDH構造素子を酸化膜ストライプ構造(ストライプ幅10μm)に加工した。このDH構造素子を室温連続動作させたところ、注入電流150mA程度において、30nWの発光を確認した。さらに、平坦なAlGaAs/GaAs量子界面が制御性良く成長されているため(lll)A面GaAs基板上にSi単一ドーパントのみで、レーザ構造が作製可能なことが明らかになった。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573950402124047488
  • NII論文ID
    110003200791
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ