微細CMOSの高周波分野への応用

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  • Advanced 0.1μm CMOS for RF Application

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微細化によるCMOSデバイスの高性能化により、MOSの高周波特性が大きく向上することが期待されている。ここでは、薄膜SOIを用いることで、低ノイズ特性(NF=0.8dB)を持ったMOSFET、および、自己共振周波数19.6GHzを持ったサスベンデッド・インダクタを得られたことを報告する。これにより2GHz帯の無線通信に用いられるデバイスが、従来のシリコンプロセスで実現できることを示す。
Modem SOI technology and 0.1μm channel length CMOS devices make it possible to fabricate high-performance RF devices by using standard Si ULSI processes. We demonstrated that suspended inductors and 0.1-μm CMOS devices can be integrated on an SOI wafer having a cavity beneath the devices. A high inductor resonance frequency of 19.6 GHz and a 0.1-μm SOI-NMOS noise figure as low as 0.8 dB at 2GHz were obtained, both surpassing the performance of presently available mobile telecommunication GaAs MESFETs.

Journal

  • Technical report of IEICE. SDM

    Technical report of IEICE. SDM 96 (153), 15-20, 1996-07-20

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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  • CRID
    1574231877186614144
  • NII Article ID
    110003309647
  • NII Book ID
    AN10013254
  • Text Lang
    en
  • Data Source
    • CiNii Articles

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