High voltage lateral MOS thyristor cascode switch on SOI-safe operating area of SOI-Resurf devices

Norio Yasuhara, Hideyuki Funaki, Akio C O Patent Divis Nakagawa

doi:10.1109/ispsd.1996.509458

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High voltage lateral MOS thyristor cascode switch on SOI-safe operating area of SOI-Resurf devices

DOI

Norio Yasuhara
Hideyuki Funaki
Akio C O Patent Divis Nakagawa

説明

A high voltage lateral MOS thyristor cascode switch on SOI was proposed. It consists of a high voltage MOS thyristor, a low voltage MOSFET and a pn diode. Excellent on-state and switching characteristics were numerically and experimentally obtained. The safe operating area (SOA) of SOI-Resurf devices were discussed.