パワー半導体製造工程における高温熱処理とシリコン結晶欠陥の研究
書誌事項
- タイトル
- パワー半導体製造工程における高温熱処理とシリコン結晶欠陥の研究
- タイトル別名
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- A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power emiconductor manufacturing process
- 著者
- 中澤, 治雄
- 学位授与大学
- 横浜国立大学
- 取得学位
- 博士(工学)
- 学位授与番号
- 甲第409号
- 学位授与年月日
- 2014-03-26
説明
収集根拠 : 博士論文(自動収集)
資料形態 : テキストデータ
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1910020910674328192
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- NII論文ID
- 500001613250
- 500000975363
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- HANDLE
- 10131/8537
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- IRDB
- NDLサーチ