パワー半導体製造工程における高温熱処理とシリコン結晶欠陥の研究

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書誌事項

タイトル
パワー半導体製造工程における高温熱処理とシリコン結晶欠陥の研究
タイトル別名
  • A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power emiconductor manufacturing process
著者
中澤, 治雄
学位授与大学
横浜国立大学
取得学位
博士（工学）
学位授与番号
甲第409号
学位授与年月日
2014-03-26

説明

収集根拠 : 博士論文（自動収集）
資料形態 : テキストデータ
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

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