Internal Stark Effect Caused by Inhomogeneous Distribution of Ionized Impurities in Highly Compensated Semiconductors

DOI IR (HANDLE) NDL Digital Collections Web Site

Bibliographic Information

Title
Internal Stark Effect Caused by Inhomogeneous Distribution of Ionized Impurities in Highly Compensated Semiconductors
Other Title
  • 高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果
  • コウホショウド ハンドウタイ ニオケル イオンカ フジュンブツ ノ フキンイツ ブンプ ニヨル ナイブ Stark コウカ
Author
Harada, Yoshiyuki
Alias Name
  • ハラダ, ヨシユキ
  • 原田, 義之
University
大阪大学
Types of degree
博士（理学）
Grant ID
甲第05152号
Degree year
1995-03-23

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Description

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
博士論文

Table of Contents

Abstract

Contents

§1 Introduction

§2 Theoretical Background

2-1 Stark effect in a hydrogen

2-2 Stark effect due to internal electric fields induced by ionized impurities

2-3 Inhomogeneous line-broadening theory by random distribution of ionized impurities

§3 Experimental Procedure

3-1 FIR laser and detector

3-2 Experimental setup

3-3 Photo-and electric-field-excitation method

3-4 Time resolved signal measurement

3-5 Samples

§4 Experimental Results

4-1 p-InSb

4-2 p-Ge

§5 Monte Carlo Simulation and Discussion

5-2 p-InSb

5-3 p-Ge

§6 Conclusion

Acknowledgments

Appendix

References

Figure captions

Figures and Tables

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