Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO_2 stack - a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology (Introductory Invited)

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Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO_2 stack - a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology (Introductory Invited)
著者
Anri Nakajima

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詳細情報

  • CRID
    1010000781759534728
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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