Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO_2 stack - a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology (Introductory Invited)
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- 中島 安理
- 広島大学
書誌事項
- タイトル
- Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO_2 stack - a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology (Introductory Invited)
- 著者
- Anri Nakajima
収録刊行物
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- Microelectronics Reliability 42
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Microelectronics Reliability 42 1823-1835, 2002
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詳細情報
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- CRID
- 1010000781759534728
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- KAKEN