High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs

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High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs

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  • CRID
    1010000782278685213
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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