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Different mechanism to explain the 1/f noise in n- and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers

書誌事項

タイトル
Different mechanism to explain the 1/f noise in n- and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers
著者
P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, T. Ohmi

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詳細情報

  • CRID
    1010000782465629317
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

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