書誌事項
- タイトル別名
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- Demonstration of 15 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures
- セツゴウ シュウ タン コウゾウ ノ カイリョウ ニ ヨル 15kVキュウ SiC PiN ダイオード ノ ジツゲン
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抄録
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し, その耐圧特性を評価した. その結果two-zone JTEと独自の空間変調JTEを組み合わせることで耐圧15kVを達成した. さらにこのような超高耐圧が得られるJTEドーズ量の幅が拡大し, JTEドーズ量の変化に対するロバスト性が向上した. また測定された耐圧のJTEドーズ量依存性はデバイスシミュレーションと比較して高ドーズ側ヘシフトすることがわかった. これは, 酸化膜と半導体界面の電荷による実効的なJTEドーズ量の減少がにより説明できる.
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (357), 17-21, 2011-12
一般社団法人 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050001335802604288
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- NII論文ID
- 10031112325
- 110009466976
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- ISSN
- 09135685
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- HANDLE
- 2433/193886
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- NDL書誌ID
- 023370583
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- IRDB
- NDL
- CiNii Articles