CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
書誌事項
- タイトル別名
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- Charge distribution near interface of high-k gate insulator in CNFETs
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説明
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO_2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。デバイスシミュレーションにより、これらの界面電荷がCNFETの特性に及ぼす影響について調べ、主にAu電極とゲート絶縁膜との界面に存在する電荷がCNFETの伝導型極性を変化させることを明らかにしている。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (426), 83-87, 2012-01
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050001338804667520
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- NII論文ID
- 10031105011
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- NII書誌ID
- AN10012954
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- HANDLE
- 2237/23511
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- IRDB
- CiNii Articles
