As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
書誌事項
- タイトル別名
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- As⁺イオン注入したゲルマニウム層の化学分析
- As ⁺ イオン チュウニュウ シタ ゲルマニウムソウ ノ カガク ブンセキ
- Chemical Analysis of As^+ -implanted Ge(100)
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説明
高濃度As^+イオン注入したGe(100)でのAsの活性化に対する知見を得るために、加速電圧10keV,ドーズ量1x10^<15>cm^<-2>でイオン注入後、熱処理に伴う化学構造変化やAs活性化状況を系統的に調べた。イオン注入により、p型Ge(100)基板の表層深さ約19nmが非晶質化すると共に、アクセプター型欠陥準位が生成されることが明らかになった。熱処理による基板側から再結晶化と伴って、Asの活性化が進行し、一部のAsは非晶質/結晶回復層の界面近傍に偏析することが分かった。硬X線光電子分光により、Ge中のAsの化学結合状態を評価した結果、500℃の熱処理後では、活性化した成分に相当するAs^<1+>と不活性な成分に相当するAs^<0+>の結合状態が存在し、As^<1+>の成分比から算出した活性化率は〜4%で、ホール効果測定結果とほぼ一致することが分かった。この結果は、Siの場合と同様に、クラスター形成による活性化率の低下を示している。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 (92), 63-67, 2012-06-14
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050001338804689664
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- NII論文ID
- 110009588307
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- HANDLE
- 2237/23586
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- NDL書誌ID
- 023811307
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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