Degradation of interface integrity between a high-k dielectric thin film and a gate electrode due to excess oxygen in the film

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• CRID

  1050282677703866624

• DOI

  10.1109/irps.2009.5173282

• HANDLE

  10097/46403

• Web Site

  https://tohoku.repo.nii.ac.jp/records/26076

  http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5164157/5173200/05173282.pdf?arnumber=5173282

• 本文言語コード

  en

• 資料種別

  journal article

• データソース種別

  • IRDB
  • Crossref
  • OpenAIRE