Improving the mobility of an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As inverted modulation‐doped structure by inserting a strained InAs quantum well

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• CRID

  1050282677723618432

• ISSN

  00036951

  10773118

• DOI

  10.1063/1.112089

• HANDLE

  10097/51587

• Web Site

  https://tohoku.repo.nii.ac.jp/records/26527

  https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/65/10/1263/18506532/1263_1_online.pdf

• 本文言語コード

  en

• 資料種別

  journal article

• データソース種別

  • IRDB
  • Crossref
  • OpenAIRE