ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価
CiNii
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Bibliographic Information
- Title
- "ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価"
- Statement of Responsibility
- 研究代表者 板倉賢
- Publisher
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- [九州大学]
- Publication Year
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- 2007.3
- Book size
- 30cm
- Other Title
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- ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ
- 平成16年度～18年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)
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Notes
課題番号: 16360315
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1130000794106779648
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- NII Book ID
- BA82165593
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- Country Code
- ja
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- Title Language Code
- ja
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- Place of Publication
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- [福岡]
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- Data Source
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- CiNii Books