次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
CiNii
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書誌事項
- タイトル
- "次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価"
- 責任表示
- 研究代表者 中島寛
- 出版者
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- [九州大学]
- 出版年月
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- 2004.3
- 書籍サイズ
- 30cm
- タイトル別名
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- ジセダイ LSIヨウ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ テイオン ケイセイ ト キノウ ヒョウカ
- 平成13年度-平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書 研究課題番号13450130
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130000795739157504
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- NII書誌ID
- BA68418586
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- 出版国コード
- ja
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- タイトル言語コード
- ja
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- 出版地
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- [福岡]
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- データソース種別
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- CiNii Books