超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現
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書誌事項
- タイトル
- "超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現"
- 責任表示
- 長谷川英機研究代表
- 出版者
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- [北海道大学大学院工学研究科]
- 出版年月
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- 2000.3
- 書籍サイズ
- 30cm
- タイトル別名
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- チョウウスマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニヨル InPケイ チョウコウシュウハ ダイデンリョク デバイス ノ ジツゲン
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130000795873802240
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- NII書誌ID
- BA47593191
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- 出版国コード
- ja
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- タイトル言語コード
- ja
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- 出版地
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- [札幌]
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- データソース種別
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- CiNii Books