チャネルエピタキシー法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長

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書誌事項

タイトル
"チャネルエピタキシー法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長"
出版者
  • [西野茂弘]
出版年月
  • 2003.3
書籍サイズ
30cm
タイトル別名
  • チャネル エピタキシー ホウ ニ ヨル Siキバンジョウ エノ 3C-SiC ノ ケッショウ セイチョウ

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注記

研究代表者: 西野茂弘

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1130000796034522496
  • NII書誌ID
    BA83012554
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    ja
  • 出版地
    • [京都]
  • データソース種別
    • CiNii Books
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