The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon
書誌事項
- タイトル
- "The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon"
- 責任表示
- Sheng S. Li
- 出版者
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- U.S. G.P.O.
- 出版年月
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- 1977
- 書籍サイズ
- 26 cm
- 巻次・年月次
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- 400-33
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注記
Includes bibliographical references
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130000796653082368
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- NII書誌ID
- BB18757485
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- LCCN
- 76608381
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- 本文言語コード
- en
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- 出版国コード
- us
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- タイトル言語コード
- en
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- 出版地
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- Washington
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- 分類
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- LCC: QC100
- LCC: QC611.8.S5
- DC: 602/.1 s
- DC: 546/.683
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- 件名
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- LCSH: Silicon -- Electric properties
- LCSH: Semiconductor doping
- LCSH: Electron mobility
- LCSH: Electric resistance
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- データソース種別
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- CiNii Books