Microelectronic test pattern NBS-3 for evaluating the resistivity-dopant density relationship of silicon
書誌事項
- タイトル
- "Microelectronic test pattern NBS-3 for evaluating the resistivity-dopant density relationship of silicon"
- 責任表示
- Martin G. Buehler
- 出版者
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- U.S. G.P.O.
- 出版年月
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- 1976
- 書籍サイズ
- 26 cm
- 巻次・年月次
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- 400-22
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注記
Includes bibliographical references
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130000797178176384
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- NII書誌ID
- BB18575455
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- LCCN
- 76600032
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- 本文言語コード
- en
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- 出版国コード
- us
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- タイトル言語コード
- en
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- 出版地
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- Washington
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- 分類
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- LCC: QC100
- LCC: TK7871.85
- DC: 602/.1 s
- DC: 621.3815/2/028
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- 件名
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- LCSH: Semiconductors -- Testing
- LCSH: Silicon -- Testing
- LCSH: Microelectronics
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- データソース種別
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- CiNii Books