Transient conductance spectroscopy measurements of defect states in γ-irradiated n-channel silicon field effect transistors with possible γ-dosemeter applications
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書誌事項
- タイトル
- "Transient conductance spectroscopy measurements of defect states in γ-irradiated n-channel silicon field effect transistors with possible γ-dosemeter applications"
- 責任表示
- by S. J. Pearton, A. J. Tavendale, A. A. Williams
- 出版者
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- Australian Atomic Energy Commission, Research Establishment
- 出版年月
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- 1980.12
- 書籍サイズ
- 30 cm
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130282269487208192
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- NII書誌ID
- BA32550978
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- ISBN
- 0642597030
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- 本文言語コード
- en
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- 出版国コード
- at
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- タイトル言語コード
- en
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- 出版地
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- Lucas Heights
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- データソース種別
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- CiNii Books