Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps
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書誌事項
- タイトル
- "Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps"
- 責任表示
- Tewksbury, Theodore L.
- 出版者
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- Massachusetts Institute of Technology
- 出版年月
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- 1992
- 書籍サイズ
- 11×15 cm
- 資料種別
- マイクロ形態(マイクロフィッシュ)
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1130282273023387008
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- NII書誌ID
- BB03898756
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- 本文言語コード
- en
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- 出版国コード
- xx
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- タイトル言語コード
- en
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- 出版地
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- [Cambridge, Ma.]
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- データソース種別
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- CiNii Books
