Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

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書誌事項

タイトル
"Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps"
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Tewksbury, Theodore L.
出版者
  • Massachusetts Institute of Technology
出版年月
  • 1992
書籍サイズ
11×15 cm
資料種別
マイクロ形態(マイクロフィッシュ)

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1130282273023387008
  • NII書誌ID
    BB03898756
  • 本文言語コード
    en
  • 出版国コード
    xx
  • タイトル言語コード
    en
  • 出版地
    • [Cambridge, Ma.]
  • データソース種別
    • CiNii Books
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