Characterization of crystal lattice constant and dislocation density of crack-free GaN films grown on Si(111)
書誌事項
- 公開日
- 2010-12
- 権利情報
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- https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
- DOI
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- 10.1016/j.apsusc.2010.07.073
- 公開者
- Elsevier BV
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収録刊行物
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- Applied Surface Science
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Applied Surface Science 257 (4), 1161-1165, 2010-12
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