書誌事項
- タイトル別名
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- Development of high-efficient CMP process of SiC wafers for power electronics
- パワーエレクトロニクスヨウ SiC ウェーハ ノ コウノウリツ CMP プロセス ノ カイハツ
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説明
炭化ケイ素（SiC）は，高硬度かつ，化学的・熱的にも安定であるため，ウェーハ加工には多くの時間と高いコストを要する．とくに，加工の最終工程である化学機械研磨（CMP： Chemical Mechanical Polishing）においては，大幅な性能向上が求められている．我々は，基板との反応性を向上させた強酸化剤型スラリーを用い，かつ，高速回転が可能な研磨機を用いた評価により，Si面で10 μm/h以上の高能率を達成することができた．更に，到達面質について，水素エッチング評価とコンフォーカル微分干渉顕微鏡，ミラー電子顕微鏡などを用いた評価を行い，SiCエピレディ面質を短時間で実現する二段CMPプロセスの有用性を議論した．
収録刊行物
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- 砥粒加工学会誌
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砥粒加工学会誌 60 (8), 454-459, 2016
公益社団法人 砥粒加工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204333503104
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- NII論文ID
- 130005284488
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- NII書誌ID
- AN10192823
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- ISSN
- 18807534
- 09142703
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- NDL書誌ID
- 027588148
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
