ミニマルエッチング装置を用いたボッシュプロセスにおけるスキャロップの低減化

DOI Web Site Web Site 被引用文献3件 参考文献16件
  • 田中 宏幸
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ミニマルファブ技術研究組合
  • 小木曽 久人
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ミニマルファブ技術研究組合
  • 中野 禅
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ミニマルファブ技術研究組合
  • 速水 利泰
    ミニマルファブ技術研究組合 SPPテクノロジーズ（株）
  • 宮崎 俊也
    ミニマルファブ技術研究組合 SPPテクノロジーズ（株）
  • クンプアン ソマワン
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ミニマルファブ技術研究組合
  • 原 史朗
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ミニマルファブ技術研究組合

書誌事項

タイトル別名
  • Scallop Reduction in Bosch Process Using a Small Chamber and Rapid Gas Switching Rate
  • ミニマルエッチング ソウチ オ モチイタ ボッシュプロセス ニ オケル スキャロップ ノ テイゲンカ

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抄録

<p>We have developed an inductively-coupled plasma-reactive ion etching system (ICP-RIE) in a human-size machine of minimal fab for processing a half-inch wafer. The etching system has performed a Bosch etching process with a short switching cycle in a tiny chamber with a volume of 1/4ℓ. For the tiny chamber, a plasma density generated by typical radio frequency of 13.56 MHz is too low according to the small space of the chamber. Thus, a higher frequency of 100 MHz is employed for a high density plasma operation although the power consumed is only ~40W. The Si etching rate of the Bosch process is ~2.5µm/min. Moreover, owing to a fast residence time of ~0.2 second, deposition gas (C4F8) and etching gas (SF6) are exchanged rapidly, which makes a Bosch cycle time of only 2 seconds. The resultant etching sidewall of Si structure becomes a scallop-less straight wall.</p>

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被引用文献 (3)*注記

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参考文献 (16)*注記

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