ゾル-ゲル法によるマイクロセンサー, マイクロアクチュエーター用圧電体チタン酸ジルコン酸鉛セラミックス薄膜の作製とその特性

  • 土屋 智由
    東京大学先端科学技術研究センター (株) 豊田中央研究所
  • 伊藤 寿浩
    東京大学先端科学技術研究センター
  • 佐々木 元
    東京大学先端科学技術研究センター 広島大学工学部第1類
  • 須賀 唯知
    東京大学先端科学技術研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Preparation and Properties of Piezoelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films for Microsensors and Microactuators by Sol-Gel Processing
  • Preparation and Properties of Piezoelec

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抄録

PZT thin films for microsensors and microactuators were prepared from lead acetate and zirconium, titanium alkoxide solution by sol-gel processing. High-performance, crack-free, thin (3.1μm) films were acquired by multiple coating, and high-temperture annealing.<br>PbO evaporation occurred on firing. This is caused by the lack of Pb and the structure is divided into a perovskite phase and the amorphous and/or nanocrystal regions. The existence of the amorphous and/or nanocrystal region reduces the dielectric and piezoelectric constants. Excess Pb diminishes the amorphous and/or nanocrystal region and improves the piezoelectric and ferroelectric properties.<br>A 20mol% Pb excess PZT film has good piezoelectric properties. The dielectric constant εr, the piezoelectric constant d31 and the spontaneous polarization Ps are 1800, 30.0×10-2C/m2 and 39.2×10-12C/N, respectively. These values are similar to those of bulk PZT ceramics. This PZT film will be used in the fabrication of microactuators and microsensors.

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参考文献 (14)*注記

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