赤外エバネッセント光によるSOIウエハ薄膜層内欠陥検出に関する研究（第1報）

DOI
  • 中島 隆介
    大阪大学　工学研究科　機械システム工学専攻　三好研究室
  • 三好 隆志
    大阪大学　工学研究科　機械システム工学専攻　三好研究室
  • 高谷 裕浩
    大阪大学　工学研究科　機械システム工学専攻　三好研究室

書誌事項

タイトル別名
  • Studey on Defect Detection in Thin Film Layer of SOI Wafer by Using Infrared Evanescent Light (1st Report) - FDTD Analysis of Infrared Evanescent Field on SOI Layer -
  • SOI層表面赤外エバネッセント場のFDTD解析

抄録

本研究は，次世代の高機能半導体に用いられるSOIウエハにおける，薄膜層内の3次元微小欠陥検出手法として，エバネッセント光によるナノ欠陥計測法を提案するものである．本報では，SOI層をスラブ導波路として伝播する赤外光により発生するエバネッセント光を，プローブで走査検出し得られた光強度分布から，SOI/BOX両層内の欠陥の検出及び，その識別が可能な条件をFDTDシミュレーションによって明らかにする．

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205647833344
  • NII論文ID
    130005026738
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2003a.0.447.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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