触媒基準エッチング法によるGaNの加工
書誌事項
- タイトル別名
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- Catalyst-Referred Etching of GaN
抄録
GaNは直接遷移型のワイドギャップ半導体であり、その優れた物性値から発光デバイスだけではなく、高周波・高出力電子デバイスへの応用も期待されている。しかし、GaNは熱的・化学的に安定であるため、その加工は困難である。我々はこれまでにSiCの平坦化加工として触媒基準化学エッチング法の提案を行っているが、本研究ではフェントン反応により生成したOHラジカルを用いGaNの平坦化加工への応用を行った。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2006A (0), 533-534, 2006
公益社団法人 精密工学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205652120320
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- NII論文ID
- 130004658208
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可