無機レジストを用いた電子ビームリソグラフィにおけるＰＥＢの効果と近接効果の評価

DOI
  • 海野 徳幸
    東京理科大学 基礎工学研究科 電子応用工学専攻 谷口研究室
  • 静野 観椰子
    東京理科大学 基礎工学研究科 電子応用工学専攻 谷口研究室
  • 谷口 淳
    東京理科大学 基礎工学研究科 電子応用工学専攻 谷口研究室
  • 石川 清
    東京応化工業 材料開発３部

説明

化学増幅作用をもたない無機レジストを用いた電子ビームリソグラフィの後に、ポストエクスポージャーベイク（ＰＥＢ）を行った。その結果、ＰＥＢを行わなかった場合に比べて近接効果特性に変化が生じ、より微細なパターンの形成が可能になった。そして、ＰＥＢ温度を最適化することで、近接効果の影響が高加速電圧より大きい４kVという低加速電圧電子ビームリソグラフィでも５０nm以下のL&Sパターンが得られた。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205652756608
  • NII論文ID
    130005029316
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2008s.0.831.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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