半導体の線幅標準に関する研究(第4報)

  • 桑原 一樹
    東京大学 大学院工学系研究科 精密機械工学専攻
  • 澤内 佑介
    東京大学 大学院工学系研究科 精密機械工学専攻
  • 高橋 哲
    東京大学 大学院工学系研究科 精密機械工学専攻
  • 高増 潔
    東京大学 大学院工学系研究科 精密機械工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Standard for CD (Critical Dimension) Measurement (4th Report)
  • The Measurement of the Line Width by the STEM Dark Field Images
  • STEMの暗視野画像を用いた線幅測定

説明

半導体産業の高集積化において,回路線幅の計測と評価は大きな役割を果たす.しかし現在,半導体の回路線幅の測定に関して,明確な基準はなく,エッジの決め方で不確かさが生じてしまう.本報では,STEMの暗視野で撮影した画像を解析することで,線幅を測定したので報告する.

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205652770688
  • NII論文ID
    130004658534
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2008a.0.247.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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